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25AA160/SN

更新时间： 2024-01-17 07:45:49
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 207K
描述
2K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8

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25AA160/SN 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOIC
包装说明：0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：8 weeks
风险等级：5.18Is Samacsys：N
最大时钟频率 (fCLK)：1 MHz数据保留时间-最小值：200
耐久性：10000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3内存密度：16384 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8字数：2048 words
字数代码：2000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2/5 V认证状态：Not Qualified
串行总线类型：SPI最大待机电流：0.000002 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.005 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
写保护：HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches：1

25AA160/SN 数据手册

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25AA160/25LC160/25C160  
1.0  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(†)  
Absolute Maximum Ratings  
VCC.............................................................................................................................................................................7.0V  
All inputs and outputs w.r.t. VSS ........................................................................................................ -0.6V to VCC + 1.0V  
Storage temperature .................................................................................................................................-65°C to 150°C  
Ambient temperature under bias...............................................................................................................-40°C to 125°C  
Soldering temperature of leads (10 seconds) .......................................................................................................+300°C  
ESD protection on all pins......................................................................................................................................... 4 KV  
† NOTICE: Stresses above those listed under “Maximum ratings” may cause permanent damage to the device. This  
is a stress rating only and functional operation of the device at those or any other conditions above those indicated in  
the operational listings of this specification is not implied. Exposure to maximum rating conditions for an extended  
period of time may affect device reliability.  
1.1  
DC Characteristics  
Industrial (I):  
TA = -40°C to +85°C VCC = 1.8V to 5.5V  
DC CHARACTERISTICS  
Param.  
Automotive (E): TA = -40°C to +125°C VCC = 4.5V to 5.5V (25C160 only)  
Sym.  
Characteristics  
Min.  
Max.  
Units  
Conditions  
VCC2.7V (Note)  
No.  
D1  
VIH1  
High-level input  
voltage  
2.0  
0.7 VCC  
-0.3  
VCC+1  
VCC+1  
0.8  
V
V
V
V
V
V
V
D2  
D3  
D4  
D5  
D6  
D7  
VIH2  
VIL1  
VIL2  
VOL  
VOL  
VOH  
VCC< 2.7V (Note)  
VCC2.7V (Note)  
VCC < 2.7V (Note)  
IOL = 2.1 mA  
Low-level input  
voltage  
-0.3  
0.3 VCC  
0.4  
Low -level output  
voltage  
—
—
0.2  
IOL = 1.0 mA, VCC < 2.5V  
IOH = -400 A  
High-level output  
voltage  
VCC -0.5  
—
D8  
D9  
ILI  
Input leakage current  
-10  
-10  
10  
10  
A  
A  
CS = VCC, VIN = VSS TO VCC  
CS = VCC, VOUT = VSS TO VCC  
ILO  
Output leakage  
current  
D10  
D11  
CINT  
Internal Capacitance  
(all inputs and  
outputs)  
—
7
pF  
TA = 25°C, CLK = 1.0 MHz,  
VCC = 5.0V (Note)  
ICC Read  
—
—
1
500  
mA  
A  
VCC = 5.5V; FCLK = 3.0 MHz;  
SO = Open  
Operating Current  
VCC = 2.5V; FCLK = 2.0 MHz;  
SO = Open  
D12  
D13  
ICC Write  
ICCS  
—
—
5
3
mA  
mA  
VCC = 5.5V  
VCC = 2.5V  
Standby Current  
—
—
5
1
A  
A  
CS = VCC = 5.5V, Inputs tied to VCC or  
VSS  
CS = VCC = 2.5V, Inputs tied to VCC or  
VSS  
Note:  
This parameter is periodically sampled and not 100% tested.  
DS21231E-page 2  
1997-2012 Microchip Technology Inc.  
 
1234567...22

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