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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, SOP8,.3 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.5 |
| Is Samacsys： | N | 最大时钟频率 (fCLK)： | 20 MHz |
| 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 5.28 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP8,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 2/5 V |
| 编程电压： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.03 mm | 串行总线类型： | SPI |
| 最大待机电流： | 0.000001 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.01 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 5.21 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 5 ms | 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 25AA1024TI/P | MICROCHIP | 1M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8 |
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| 25AA1024T-I/P | MICROCHIP | 1 Mbit SPI Bus Serial EEPROM |
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| 25AA1024TI/SM | MICROCHIP | 1M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DSM-8 |
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| 25AA1024T-I/SM | MICROCHIP | 1 Mbit SPI Bus Serial EEPROM |
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| 25AA1024T-I/SMG | MICROCHIP | 128K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.208 INCH, PLASTIC, SOIC-8 |
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| 25AA128 | MICROCHIP | 128K SPI Bus Serial EEPROM |
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