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25AA010AT-I/MNY

更新时间： 2024-01-19 18:51:24
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
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38页 969K
描述
25AA010AT-I/MNY

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25AA010AT-I/MNY 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.59
数据保留时间-最小值：200耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-N8JESD-609代码：e4
内存密度：1024 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8端子数量：8
字数：128 words字数代码：128
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128X8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SON封装等效代码：SOLCC8,.11,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：SERIAL电源：2/5 V
认证状态：Not Qualified串行总线类型：SPI
最大待机电流：0.000001 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.005 mA表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
写保护：HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches：1

25AA010AT-I/MNY 数据手册

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25AA010A/25LC010A  
1.0  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(†)  
Absolute Maximum Ratings  
VCC.............................................................................................................................................................................6.5V  
All inputs and outputs w.r.t. VSS ......................................................................................................... -0.6V to VCC +1.0V  
Storage temperature .................................................................................................................................-65°C to 150°C  
Ambient temperature under bias...............................................................................................................-40°C to 125°C  
ESD protection on all pins..........................................................................................................................................4 kV  
† NOTICE: Stresses above those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the  
device. This is a stress rating only and functional operation of the device at those or any other conditions above those  
indicated in the operational listings of this specification is not implied. Exposure to maximum rating conditions for an  
extended period of time may affect device reliability.  
TABLE 1-1:  
DC CHARACTERISTICS  
Industrial (I):  
Automotive (E):  
TA = -40°C to +85°C  
TA = -40°C to +125°C  
VCC = 1.8V to 5.5V  
VCC = 2.5V to 5.5V  
DC CHARACTERISTICS  
Param.  
No.  
Sym.  
Characteristic  
Min.  
Max.  
VCC+1  
Units  
Test Conditions  
D001  
VIH1  
High-level input  
voltage  
0.7 VCC  
V
D002  
D003  
D004  
D005  
D006  
VIL1  
VIL2  
VOL  
VOL  
VOH  
Low-level input  
voltage  
-0.3  
-0.3  
0.3 VCC  
0.2 VCC  
0.4  
V
V
V
V
V
VCC2.7V (Note)  
VCC < 2.7V (Note)  
IOL = 2.1 mA  
Low-level output  
voltage  
—
—
0.2  
IOL = 1.0 mA, VCC < 2.5V  
IOH = -400 A  
High-level output  
voltage  
VCC -0.5  
—
D007  
D008  
D009  
ILI  
Input leakage  
current  
—
—
—
±1  
±1  
7
A  
A  
pF  
CS = VCC, VIN = VSS or VCC  
CS = VCC, VOUT = VSS or VCC  
ILO  
CINT  
Output leakage  
current  
Internal capacitance  
(all inputs and  
outputs)  
TA = 25°C, CLK = 1.0 MHz,  
VCC = 5.0V (Note)  
D010  
ICC Read  
—
—
5
mA  
mA  
VCC = 5.5V; FCLK = 10.0 MHz;  
SO = Open  
VCC = 2.5V; FCLK = 5.0 MHz;  
SO = Open  
Operating current  
Standby current  
2.5  
D011  
D012  
ICC Write  
ICCS  
—
—
5
3
mA  
mA  
VCC = 5.5V  
VCC = 2.5V  
—
5
A  
CS = VCC = 5.5V, Inputs tied to VCC or  
VSS, TA = +125°C  
—
1
A  
CS = VCC = 2.5V, Inputs tied to VCC or  
VSS, TA = +85°C  
Note:  
This parameter is periodically sampled and not 100% tested.  
DS21832H-page 2  
2003-2012 Microchip Technology Inc.  
 
1234567...38

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