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25AA010AT-I/MNY

更新时间： 2024-02-24 11:08:38

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
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25AA010AT-I/MNY

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25AA010AT-I/MNY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.59
数据保留时间-最小值：	200	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-N8	JESD-609代码：	e4
内存密度：	1024 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	端子数量：	8
字数：	128 words	字数代码：	128
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128X8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SON	封装等效代码：	SOLCC8,.11,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	电源：	2/5 V
认证状态：	Not Qualified	串行总线类型：	SPI
最大待机电流：	0.000001 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.005 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE	Base Number Matches：	1

25AA010AT-I/MNY 数据手册

25AA010A/25LC010A

BLOCK DIAGRAM

STATUS

HV Generator

EEPROM

Array

Memory

Control

Logic

I/O Control

Logic

Dec

Page Latches

Y Decoder

SCK

Sense Amp.

R/W Control

HOLD

VCC

VSS

TABLE 2-1:

INSTRUCTION SET

Instruction Name

Instruction Format

Description

READ

WRITE

0000 x011

0000 x010

0000 x100

0000 x110

0000 x101

0000 x001

Read data from memory array beginning at selected address

Write data to memory array beginning at selected address

Reset the write enable latch (disable write operations)

Set the write enable latch (enable write operations)

Read STATUS register

WRDI

WREN

RDSR

WRSR

Write STATUS register

x= don’t care

FIGURE 2-1:

READ SEQUENCE

9 10 11

19 21 22 23

15 16

13 14

SCK

Instruction

Address Byte

X A₆A₅A₄

A₂A₁A₀

A₃

Data Out

High-Impedance

 2003-2012 Microchip Technology Inc.

DS21832H-page 7

1...4 5 678 9 10...38

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