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24LC1026T-I/SN

更新时间: 2024-02-22 16:02:08
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
32页 685K
描述
128K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8

24LC1026T-I/SN 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:SOIC包装说明:SOP, SOP8,.25
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
Factory Lead Time:10 weeks风险等级:5.45
最大时钟频率 (fCLK):0.4 MHz数据保留时间-最小值:200
耐久性:1000000 Write/Erase CyclesI2C控制字节:1010DDMR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
长度:4.9 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
湿度敏感等级:1功能数量:1
端子数量:8字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3/5 V认证状态:Not Qualified
反向引出线:NO座面最大高度:1.75 mm
串行总线类型:I2C最大待机电流:0.000005 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.005 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:3.9 mm最长写入周期时间 (tWC):5 ms
写保护:HARDWAREBase Number Matches:1

24LC1026T-I/SN 数据手册

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24AA1026/24LC1026/24FC1026  
3.0  
FUNCTIONAL DESCRIPTION  
The 24XX1026 supports a bidirectional 2-wire bus and  
data transmission protocol. A device that sends data  
onto the bus is defined as a transmitter and a device  
receiving data as a receiver. The bus must be  
controlled by a master device which generates the  
Serial Clock (SCL), controls the bus access, and  
generates the Start and Stop conditions while the  
24XX1026 works as a slave. Both master and slave  
can operate as a transmitter or receiver, but the master  
device determines which mode is activated.  
DS20002270D-page 6  
2011-2013 Microchip Technology Inc.  

24LC1026T-I/SN 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
24LC1026-I/SM MICROCHIP

完全替代

128K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIJ-8

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