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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | 3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | Factory Lead Time： | 10 weeks |
| 风险等级： | 1.29 | 其他特性： | 200 YEARS DATA RETENTION |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 0.4 MHz | 数据保留时间-最小值： | 200 |
| 耐久性： | 1000000 Write/Erase Cycles | I2C控制字节： | 1010MDDR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 4.9 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3/5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.75 mm | 串行总线类型： | I2C |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.005 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 3.9 mm | 最长写入周期时间 (tWC)： | 5 ms |
| 写保护： | HARDWARE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 24LC1025T-E/SM | MICROCHIP | 1024K I2C⑩ CMOS Serial EEPROM |
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| 24LC1025T-E/SN | MICROCHIP | 1024K I2C™ CMOS Serial EEPROM |
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| 24LC1025T-E/SN16KVAO | MICROCHIP | EEPROM, 128KX8, Serial, CMOS, PDSO8 |
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| 24LC1025T-I/P | MICROCHIP | 1024K I2C⑩ CMOS Serial EEPROM |
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| 24LC1025T-I/SM | MICROCHIP | 1024K I2C⑩ CMOS Serial EEPROM |
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| 24LC1025T-I/SN | MICROCHIP | 1024K I2C⢠CMOS Serial EEPROM |
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