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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.21 |
| 其他特性： | 100K ERASE/WRITE CYCLES MIN; CAN BE ORGANIZED AS 4 BLOCKS OF 256 BYTES; DATA RETENTION > 40 YEARS | 最大时钟频率 (fCLK)： | 0.4 MHz |
| 数据保留时间-最小值： | 40 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 4.9 mm |
| 内存密度： | 8192 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 1KX8 |
| 输出特性： | OPEN-DRAIN | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.75 mm | 串行总线类型： | I2C |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 3.9 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 5 ms | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 24LC08BT-I/SNG | MICROCHIP | 8K IC SERIAL EEPROM |
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| 24LC08BT-I/SNROC | MICROCHIP | 1K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8 |
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| 24LC08BT-I/SNRVE | MICROCHIP | 8K 2-Wire SERIAL EEPROM, -40C to +85C, 8-SOIC 150mil, T/R |
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| 24LC08BTI/ST | MICROCHIP | 256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 4.40 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSSOP-8 |
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| 24LC08BT-I/ST | MICROCHIP | 8K IC SERIAL EEPROM |
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| 24LC08BT-I/STG | MICROCHIP | 8K IC SERIAL EEPROM |
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