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24LC1025-E/SN

更新时间： 2024-01-12 00:53:52

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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26页	296K
描述
1024K I2C™ CMOS Serial EEPROM

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24LC1025-E/SN 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	Factory Lead Time：	10 weeks
风险等级：	1.29	其他特性：	200 YEARS DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz	数据保留时间-最小值：	200
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	I2C控制字节：	1010MDDR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.9 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	串行总线类型：	I2C
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.005 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	3.9 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
写保护：	HARDWARE	Base Number Matches：	1

24LC1025-E/SN 数据手册

24AA1025/24LC1025/24FC1025

1024K I²C^™CMOS Serial EEPROM

This device is capable of both random and sequential

Device Selection Table:

reads. Reads may be sequential within address

boundaries 0000h to FFFFh and 10000h to 1FFFFh.

Functional address lines allow up to four devices on the

same data bus. This allows for up to 4 Mbits total

system EEPROM memory. This device is available in

the standard 8-pin PDIP, SOIC and SOIJ packages.

Part

Number

VCC

Range

Max. Clock

Frequency

Temp.

Ranges

24AA1025

24LC1025

24FC1025

1.7-5.5V

2.5-5.5V

1.8-5.5V

400 kHz^†

400 kHz*

1 MHz^‡

I, E

^†100 kHz for VCC < 2.5V

Package Type

*100 kHz for VCC < 4.5V, E-temp

^‡400 kHz for VCC < 2.5V

PDIP

VCC

Features:

SCL

SDA

• Low-Power CMOS Technology:

- Read current 450 A, maximum

- Standby current 5 A, maximum

• 2-Wire Serial Interface, I²C™ Compatible

• Cascadable up to Four Devices

VSS

SOIJ/SOIC

VCC

• Schmitt Trigger Inputs for Noise Suppression

• Output Slope Control to Eliminate Ground Bounce

• 100 kHz and 400 kHz Clock Compatibility

• 1 MHz Clock for FC Versions

SCL

SDA

VSS

• Page Write Time 3 ms, typical

• Self-Timed Erase/Write Cycle

• 128-Byte Page Write Buffer

Block Diagram

• Hardware Write-Protect

• ESD Protection >400V

A0A1 WP

HV Generator

• More than 1 Million Erase/Write Cycles

• Data Retention >200 Years

I/O

Control

Logic

Memory

Control

Logic

• Factory Programming Available

• Packages include 8-lead PDIP, SOIJ and SOIC

• Pb-Free and RoHS Compliant

• Temperature Ranges:

EEPROM

Array

XDEC

Page Latches

I/O

- Industrial (I):

-40C to +85C

SCL

YDEC

- Automotive (E): -40C to +125C

SDA

Description:

VCC

Sense AMP

R/W Control

VSS

The Microchip Technology Inc. 24AA1025/24LC1025/

24FC1025 (24XX1025*) is a 128K x 8 (1024K bit)

Serial Electrically Erasable PROM, capable of

operation across a broad voltage range (1.7V to 5.5V).

It has been developed for advanced, low-power

applications such as personal communications or data

acquisition. This device has both byte write and page

write capability of up to 128 bytes of data.

*24XX1025 is used in this document as a generic part number

for the 24AA1025/24LC1025/24FC1025 devices.

 2010 Microchip Technology Inc.

DS21941G-page 1

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