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24LC1025-I/P

更新时间： 2024-01-13 10:03:41

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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22页	351K
描述
1024K I2C⑩ CMOS Serial EEPROM

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24LC1025-I/P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	Factory Lead Time：	10 weeks
风险等级：	1.29	其他特性：	200 YEARS DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz	数据保留时间-最小值：	200
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	I2C控制字节：	1010MDDR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.9 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	串行总线类型：	I2C
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.005 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	3.9 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
写保护：	HARDWARE	Base Number Matches：	1

24LC1025-I/P 数据手册

24AA1025/24LC1025/24FC1025

1024K I²C^™CMOS Serial EEPROM

This device is capable of both random and sequential

Device Selection Table:

reads. Reads may be sequential within address bound-

aries 0000h to FFFFh and 10000h to 1FFFFh.

Functional address lines allow up to four devices on the

same data bus. This allows for up to 4 Mbits total

system EEPROM memory. This device is available in

the standard 8-pin PDIP and SOIJ packages.

Part

Number

VCC

Range

Max. Clock

Frequency

Temp

Ranges

24AA1025

24LC1025

24FC1025

1.7-5.5V

2.5-5.5V

400 kHz^†

400 kHz*

1 MHz

I, E

^†100 kHz for VCC < 2.5V.

*100 kHz for VCC < 4.5V, E-temp.

Package Type

PDIP

VCC

Features:

• Single supply with operation down to 1.7V for

24AAXX devices, 2.5V for 24LCXX devices

SCL

SDA

• Low-power CMOS technology:

- Read current 1 mA, typical

VSS

- Standby current 100 nA, typical

• 2-wire serial interface, I²C™ compatible

• Cascadable up to four devices

• Schmitt Trigger inputs for noise suppression

• Output slope control to eliminate ground bounce

• 100 kHz and 400 kHz clock compatibility

• 1 MHz clock for FC versions

SOIJ

VCC

SCL

SDA

VSS

• Page write time 3 ms, typical

• Self-timed erase/write cycle

Block Diagram

• 128-byte page write buffer

• Hardware write-protect

A0 A1 WP

HV Generator

• ESD protection >400V

• More than 1 million erase/write cycles

• Data retention >200 years

I/O

Control

Logic

Memory

Control

Logic

EEPROM

Array

XDEC

• Factory programming available

• Packages include 8-lead PDIP, SOIJ

• Pb-free and RoHS compliant

• Temperature ranges:

Page Latches

I/O

SCL

YDEC

- Industrial (I): -40°C to +85°C

- Automotive (E):-40°C to +125°C

SDA

VCC

VSS

Description:

Sense AMP

R/W Control

The Microchip Technology Inc. 24AA1025/24LC1025/

24FC1025 (24XX1025*) is a 128K x 8 (1024K bit)

Serial Electrically Erasable PROM, capable of opera-

tion across a broad voltage range (1.8V to 5.5V). It has

been developed for advanced, low-power applications

such as personal communications or data acquisition.

This device has both byte write and page write

capability of up to 128 bytes of data.

*24XX1025 is used in this document as a generic part number

for the 24AA1025/24LC1025/24FC1025 devices.

Preliminary

DS21941E-page 1

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