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24C65TI/SMG

更新时间: 2024-02-21 23:40:03
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 296K
描述
8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, EIAJ, PLASTIC, SOIC-8

24C65TI/SMG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:0.207 INCH, EIAJ, PLASTIC, SOIC-8针数:8
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.19
最大时钟频率 (fCLK):0.4 MHzJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3长度:5.28 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:8字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:8KX8输出特性:OPEN-DRAIN
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.03 mm
串行总线类型:I2C最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:5.2 mm最长写入周期时间 (tWC):5 ms
Base Number Matches:1

24C65TI/SMG 数据手册

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24AA65/24LC65/24C65  
FIGURE 4-1:  
BYTE WRITE  
S
T
A
R
T
S
BUS ACTIVITY  
MASTER  
WORD  
ADDRESS (0)  
WORD  
ADDRESS (1)  
T
CONTROL  
BYTE  
DATA  
O
P
0 0 0  
S
SDA LINE  
P
A
C
K
A
C
K
A
C
K
A
C
K
BUS ACTIVITY  
FIGURE 4-2:  
PAGE WRITE (FOR CACHE WRITE, SEE FIGURE 8-2)  
S
T
A
R
T
S
T
O
P
WORD  
ADDRESS (1)  
WORD  
ADDRESS (0)  
CONTROL  
BYTE  
BUS  
ACTIVITY  
MASTER  
DATA n  
DATA n + 7  
S
P
SDA LINE  
0 0 0  
A
C
K
A
C
K
A
C
K
A
C
K
A
C
K
BUS  
ACTIVITY:  
FIGURE 4-3:  
CURRENT ADDRESS READ  
S
T
S
T
BUS ACTIVITY  
MASTER  
CONTROL  
BYTE  
A
R
T
DATA n  
O
P
SDA LINE  
S
P
A
C
K
N
O
BUS ACTIVITY  
A
C
K
2003 Microchip Technology Inc.  
DS21073J-page 7  

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24C65T-I/SMG MICROCHIP 8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIJ-8

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