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24C16BT-E/SN

更新时间： 2024-02-08 05:04:10

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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13页	118K
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2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8

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24C16BT-E/SN 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP8,.25	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.89
Is Samacsys：	N	其他特性：	2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED
最大时钟频率 (fCLK)：	0.1 MHz	数据保留时间-最小值：	200
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	I2C控制字节：	1010MMMR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
长度：	4.9 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2KX8
输出特性：	OPEN-DRAIN	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	串行总线类型：	I2C
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.003 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	3.9 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
写保护：	HARDWARE	Base Number Matches：	1

24C16BT-E/SN 数据手册

24C08B/16B

NOTES:

DS21081F-page 10

1999 Microchip Technology Inc.

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