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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, SOP8,.25 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.89 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | 2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 0.1 MHz | 数据保留时间-最小值： | 200 |
| 耐久性： | 1000000 Write/Erase Cycles | I2C控制字节： | 1010MMMR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 4.9 mm | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 2KX8 |
| 输出特性： | OPEN-DRAIN | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.75 mm | 串行总线类型： | I2C |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.003 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 3.9 mm | 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms |
| 写保护： | HARDWARE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 24C16BT-E/SNRVC | MICROCHIP | 2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 |
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| 24C16BT-I/SL | MICROCHIP | 2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO14, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-14 |
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| 24C16BT-I/SN | MICROCHIP | 2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 |
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| 24C16-E/P | ETC | I2C Serial EEPROM |
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| 24C16-E/SL | ETC | I2C Serial EEPROM |
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| 24C16-I/P | ETC | I2C Serial EEPROM |
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