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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TSSOP, TSSOP8,.25 | Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 10 weeks | 风险等级： | 1.38 |
| Samacsys Description： | SRAM 1024K 2.5V SPI SERIAL SRAM Vbat | 最大时钟频率 (fCLK)： | 20 MHz |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 4.4 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1, (3 LINE) |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP8,.25 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3/5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.00001 A | 最小待机电流： | 2.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.01 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 3 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 23LCV1024T-IP | MICROCHIP |
获取价格 |
1 Mbit SPI Serial SRAM with Battery Backup and SDI Interface |
|
| 23LCV1024T-ISN | MICROCHIP |
获取价格 |
1 Mbit SPI Serial SRAM with Battery Backup and SDI Interface |
|
| 23LCV1024T-IST | MICROCHIP |
获取价格 |
1 Mbit SPI Serial SRAM with Battery Backup and SDI Interface |
|
| 23LCV512 | MICROCHIP |
获取价格 |
512 Kbit SPI Serial SRAM with Battery Backup and SDI Interface |
|
| 23N50Q | UTC |
获取价格 |
N-CH |
|
| 23NA002G | ETC |
获取价格 |
Industrial Control IC |
|
| 23NA005G | ETC |
获取价格 |
Industrial Control IC |
|
| 23NA010G | ETC |
获取价格 |
Industrial Control IC |
|
| 23NA015G | ETC |
获取价格 |
Industrial Control IC |
|
| 23NAB12T4V1 | SEMIKRON |
获取价格 |
3-phase bridge rectifier |
|
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