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23K640T-E/SN

更新时间: 2024-02-03 12:34:30
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路静态存储器光电二极管时钟
页数 文件大小 规格书
26页 346K
描述
64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM

23K640T-E/SN 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:TSSOP, TSSOP8,.25针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:1.12
最长访问时间:25 ns最大时钟频率 (fCLK):20 MHz
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3长度:4.4 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:1
功能数量:1端口数量:1, (3 LINE)
端子数量:8字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:8KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.000004 A最小待机电流:2.7 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.01 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:3 mm
Base Number Matches:1

23K640T-E/SN 数据手册

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DS22126C-page 8  
© 2009 Microchip Technology Inc.  

23K640T-E/SN 替代型号

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128M-BIT PAGE MODE MASK ROM (SOP)
23L12810A-12 Macronix

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128M-BIT PAGE MODE MASK ROM (SOP)
23L12811-10 Macronix

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128M-BIT (8M x 16) MASK ROM WITH PAGE MODE(SOP ONLY)