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23A256-IP-I/P

更新时间： 2024-01-09 21:22:20

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		静态存储器
页数	文件大小	规格书
28页	542K
描述
32K X 8 STANDARD SRAM, PDIP8, 0.300 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8

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23A256-IP-I/P 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	TSSOP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.76
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	长度：	4.4 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	3 mm
Base Number Matches：	1

23A256-IP-I/P 数据手册

23X256

The mode bits indicate the operating mode of the

SRAM. The possible modes of operation are:

2.5

Read Status Register Instruction

(RDSR)

0 0= Byte mode (default operation)

1 0= Page mode

The Read Status Register instruction (RDSR) provides

access to the STATUS register. The STATUS register

may be read at any time. The STATUS register is

formatted as follows:

0 1= Sequential mode

1 1= Reserved

Write and read commands are shown in Figure 2-7 and

Figure 2-8.

TABLE 2-2:

STATUS REGISTER

–

The HOLD bit enables the Hold pin functionality. It must

be set to a ‘0’ before HOLD pin is brought low for HOLD

function to work properly. Setting HOLD to ‘1’ disables

feature.

W/R

HOLD

MODE MODE

W/R = writable/readable.

Bits 1 through 5 are reserved and should always be set

to ‘0’.

See Figure 2-7 for the RDSRtiming sequence.

FIGURE 2-7: READ STATUS REGISTER TIMING SEQUENCE (RDSR)

SCK

Instruction

Data from STATUS Register

High-Impedance

 2010 Microchip Technology Inc.

DS22100E-page 11

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