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222212018221

更新时间： 2024-02-28 18:58:54

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频
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16页	813K
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RF Power Field Effect Transistor

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222212018221 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	电容：	220 µF
电容器类型：	ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR	介电材料：	ALUMINUM (WET)
ESR：	249 m Ω	JESD-609代码：	e3
漏电流：	0.206 mA	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
负容差：	20%	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装形状：	TUBULAR PACKAGE	包装方法：	BULK
极性：	POLARIZED	正容差：	20%
额定（直流）电压（URdc）：	63 V	纹波电流：	2150 mA
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形状：	WIRE	Base Number Matches：	1

222212018221 数据手册

= 28 Vdc, I = 750 mA, P = 28 W Avg.

DQ out

load

source

MHz

820

840

860

880

900

920

940

960

980

Ω

0.95 -- j1.97

1.02 -- j1.88

1.09 -- j1.83

1.10 -- j1.74

1.13 -- j1.74

1.18 -- j1.71

1.12 -- j1.75

1.06 -- j1.72

1.02 -- j1.71

3.44 -- j2.01

3.44 -- j1.87

3.48 -- j1.73

3.53 -- j1.60

3.63 -- j1.65

3.73 -- j1.51

3.81 -- j1.55

3.88 -- j1.60

3.98 -- j1.71

Test circuit impedance as measured from

gate to ground.

source

Test circuit impedance as measured from

drain to ground.

load

Output

Matching

Network

Device

Under

Test

Input

Matching

Network

source

load

Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance — 865--895 MHz

MRF8S9102NR3

RF Device Data

Freescale Semiconductor

1...8 9 101112 13 14...16

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