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2111F-1

更新时间: 2024-11-14 19:43:03
品牌 Logo 应用领域
飞利浦 - PHILIPS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
3页 143K
描述
Standard SRAM, 256X4, 500ns, MOS, CDIP18

2111F-1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP18,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:500 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDIP-T18
JESD-609代码:e0内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:18字数:256 words
字数代码:256工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256X4输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP18,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
表面贴装:NO技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

2111F-1 数据手册

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