Datasheet > 晶体管 > IGBT> 20MT120UF

20MT120UF

更新时间： 2024-02-05 16:38:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数	文件大小	规格书
13页	697K
描述
UltraFast NPT IGBT

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

20MT120UF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-P18
针数：	18	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.63	其他特性：	UL APPROVED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	40 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-P18	元件数量：	4
端子数量：	18	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

20MT120UF 数据手册

I27124 rev. D 02/03

20MT120UF

"FULL-BRIDGE" IGBT MTP

UltraFast NPT IGBT

Features

• UltraFast Non Punch Through (NPT)

Technology

• Positive V_CE(ON)Temperature Coefficient

• 10µs Short Circuit Capability

• HEXFRED ^TMAntiparallel Diodes with

UltraSoft Reverse Recovery

• Low Diode V_F

V_CES= 1200V

I_C= 40A

T_C= 25°C

• Square RBSOA

• Aluminum Nitride DBC

• Very Low Stray Inductance Design for

High Speed Operation

• UL approved (File E78996)

Benefits

• Optimized for Welding, UPS and SMPS

Applications

• Rugged with UltraFast Performance

• Benchmark Efficiency above 20KHz

• Outstanding ZVS and Hard Switching

Operation

• Low EMI, requires Less Snubbing

• Excellent Current Sharing in Parallel

Operation

• Direct Mounting to Heatsink

• PCB Solderable Terminals

• Very Low Junction-to-Case Thermal

Resistance

MMTP

Absolute Maximum Ratings

Parameters

Max

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

1200

I _C

Continuos Collector Current

@ T_C= 25°C

@ T_C= 106°C

I _CM

I _LM

I _F

Pulsed Collector Current

100

Clamped Inductive Load Current

Diode Continuous Forward Current

Diode Maximum Forward Current

@ T_C= 106°C

I _FM

100

V_GE

V_ISOL

P_D

Gate-to-Emitter Voltage

± 20

2500

240

RMS Isolation Voltage, Any Terminal to Case, t = 1 min

Maximum Power Dissipation (only IGBT) @ T_C= 25°C

@ T_C= 100°C

www.irf.com

12 3 4 5 6 7...13

下载PDF

与20MT120UF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
20MT120UFAPBF	VISHAY	"Full Bridge" IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 20 A	获取价格
20MT120UFP	VISHAY	'Full Bridge' IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 40 A	获取价格
20MT120UFPBF	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MTP, 18 PIN	获取价格
20MT120UFPBF	VISHAY	暂无描述	获取价格
20MU20NU	ETC	AUSSENGEWINDE BSP DREHB G 1.25X1.25ZOLL	获取价格
20MV1	MACOM	Multi-purpose Medical Filter for Power Line Noise Protection	获取价格