5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-MEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-MEDB-N2 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 20000 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 43 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 20KW43CCOX.120 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 43V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| 20KW43CCOX.160 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 43V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| 20KW43CCOX.200 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 43V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| 20KW43CCOX.250 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 43V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| 20KW43COX.160 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 43V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| 20KW43COX.250 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 43V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| 20KW44A | MDE |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
|
| 20KW44CA | MDE |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
|
| 20KW46 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 46V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| 20KW46A | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 46V V(RWM), Unidirectional, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
