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20ETF02

更新时间： 2024-01-03 03:44:28
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威世 - VISHAY 整流二极管局域网快速恢复二极管
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8页 332K
描述
Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 20 A

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20ETF02 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AC包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMD-220, D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.18Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.3 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：300 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：20 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.16 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

20ETF02 数据手册

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20ETF..PbF Soft Recovery Series  
Fast Soft Recovery  
Rectifier Diode, 20 A  
Vishay High Power Products  
1000  
100  
10  
TJ = 25 °C  
TJ = 150 °C  
20ETF.. Series  
1
0
1
2
3
4
5
Instantaneous Forward Voltage (V)  
Fig. 7 - Forward Voltage Drop Characteristics  
0.20  
70  
20ETF.. Series  
TJ = 25 °C  
20ETF.. Series  
TJ = 25 °C  
IFM = 30 A  
IFM = 20 A  
IFM = 10 A  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
0.15  
0.10  
0.05  
0
IFM = 30 A  
IFM = 20 A  
IFM = 10 A  
IFM = 5 A  
IFM = 5 A  
IFM = 1 A  
IFM = 1 A  
800  
0
200  
400  
600  
1000  
0
200  
400  
600  
800  
1000  
dI/dt - Rate of Fall of Forward Current (A/µs)  
Fig. 8 - Recovery Time Characteristics, TJ = 25 °C  
dI/dt - Rate of Fall of Forward Current (A/µs)  
Fig. 10 - Recovery Charge Characteristics, TJ = 25 °C  
0.5  
100  
20ETF.. Series  
TJ = 150 °C  
20ETF.. Series  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
80  
60  
40  
20  
0
IFM = 30 A  
TJ = 150 °C  
IFM = 30 A  
IFM = 20 A  
IFM = 10 A  
IFM = 5 A  
I
FM = 20 A  
IFM = 10 A  
IFM = 5 A  
IFM = 1 A  
IFM = 1 A  
0
200  
400  
600  
800  
1000  
0
200  
400  
600  
800  
1000  
dI/dt - Rate of Fall of Forward Current (A/µs)  
Fig. 9 - Recovery Time Characteristics, TJ = 150 °C  
dI/dt - Rate of Fall of Forward Current (A/µs)  
Fig. 11 - Recovery Charge Characteristics, TJ = 150 °C  
www.vishay.com  
4
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com  
Document Number: 94096  
Revision: 15-Apr-08  
12345678

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