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20ETF02STRLPBF

更新时间： 2024-02-23 00:49:44
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
8页 347K
描述
Surface Mountable Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 20 A

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20ETF02STRLPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AC包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMD-220, D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.18Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.3 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：300 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：20 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.16 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

20ETF02STRLPBF 数据手册

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VS-20ETF..SPbF Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Surface Mountable Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 20 A  
FEATURES  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
Base  
common  
cathode  
+
• Designed  
JEDEC-JESD47  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
and  
qualified  
according  
to  
2
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21  
definition  
D2PAK (SMD-220)  
1
3
-
-
Anode  
Anode  
APPLICATIONS  
• Output rectification and freewheeling in inverters,  
choppers and converters  
• Input rectifications where severe restrictions on  
conducted EMI should be met  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
TO-263AB (D2PAK)  
IF(AV)  
20 A  
200 V, 400 V, 600 V  
1.3 V  
DESCRIPTION  
VR  
The VS-20ETF..SPbF soft recovery rectifier series has been  
optimized for combined short reverse recovery time and low  
forward voltage drop.  
VF at IF  
IFSM  
300 A  
trr  
60 ns  
The glass passivation ensures stable reliable operation in  
the most severe temperature and power cycling conditions.  
TJ max.  
Diode variation  
Snap factor  
150 °C  
Single die  
0.6  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
20  
UNITS  
Sinusoidal waveform  
A
V
200 to 600  
300  
A
10 A, TJ = 25 °C  
1 A, 100 A/μs  
Range  
1.2  
V
trr  
60  
ns  
°C  
TJ  
- 40 to 150  
VOLTAGE RATINGS  
VRRM, MAXIMUM PEAK  
REVERSE VOLTAGE  
V
VRSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE  
IRRM  
AT 150 °C  
mA  
PART NUMBER  
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
VS-20ETF02SPbF  
VS-20ETF04SPbF  
VS-20ETF06SPbF  
200  
400  
600  
300  
500  
700  
5
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
TC = 97 °C, 180° conduction half sine wave  
VALUES  
20  
UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied  
250  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
IFSM  
300  
316  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
A2s  
442  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
4420  
A2s  
Revision: 17-Aug-11  
Document Number: 94097  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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