5秒后页面跳转
| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.74 |
| 最大击穿电压： | 290 V | 最小击穿电压： | 270 V |
| 击穿电压标称值： | 280 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 200 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向电流： | 10 µA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1ZB270-ZTPB5 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
|
| 1ZB27TPA2 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
|
| 1ZB27TPA3 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
|
| 1ZB27TPB5 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
|
| 1ZB30 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
ZENER DIODES |
|
| 1ZB30 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE (CONSTANT VOLTAGE REGULATION) |
|
| 1ZB30 | LGE |
获取价格 |
Zener Diodes |
|
| 1ZB30 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
30V,1000mW,Zener Diodes |
|
| 1ZB30(TPA3,Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode |
|
| 1ZB300 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE (CONSTANT VOLTAGE REGULATION) |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
