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1SV312

更新时间: 2024-11-17 22:21:07
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东芝 - TOSHIBA 射频衰减器PIN二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 71K
描述
DIODE (VHF~UHF BAND RF ATTENUATOR APPLICATIONS)

1SV312 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:End Of Life零件包装代码:SOD
包装说明:R-PDSO-G4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.26
Is Samacsys:N二极管类型:PIN DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e0端子数量:4
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:50 V最大反向电流:0.1 µA
反向测试电压:50 V子类别:Other Diodes
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

1SV312 数据手册

  

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