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1SV228-6TPH4

更新时间： 2024-01-10 09:59:18
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 149K
描述
DIODE 15 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode

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1SV228-6TPH4 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.61
其他特性：3% MATCHED SETS ARE AVAILABLE最小击穿电压：15 V
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS最小二极管电容比：2.1
二极管元件材料：SILICON二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
认证状态：Not Qualified最大反向电流：0.01 µA
反向测试电压：15 V表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1SV228-6TPH4 数据手册

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1SV228  
TOSHIBA Variable Capacitance Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SV228  
Electronic Tuning Applications of FM Receivers  
Unit: mm  
•
•
Low r : r = 0.3 Ω (typ.)  
s s  
Small package  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Reverse voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
15  
125  
V
R
Junction temperature  
Storage temperature  
T
j
°C  
°C  
T
stg  
−55~125  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
JEDEC  
JEITA  
―
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate,  
etc).  
SC-59  
TOSHIBA  
1-3G1F  
Weight: 0.013 g (typ.)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Reverse voltage  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
I
= 10 μA  
R
15  
⎯
⎯
⎯
⎯
10  
V
R
Reverse current  
Capacitance  
I
V
V
V
= 15 V  
nA  
pF  
pF  
⎯
Ω
R
R
R
R
C
C
= 3 V, f = 1 MHz  
= 8 V, f = 1 MHz  
(Note 1) 28.5  
(Note 1) 11.7  
30.5  
12.7  
⎯
32.5  
13.7  
2.6  
3 V  
8 V  
Capacitance  
Capacitance ratio  
Series resistance  
C
/C  
3 V 8 V  
⎯
(Note 1)  
(Note 1)  
2.1  
r
s
V
= 3 V, f = 100 MHz  
⎯
0.3  
0.5  
R
Note 1: Characteristics between anode 1 and anode 2  
Marking  
1
2007-11-01  
1234

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与1SV228-6TPH4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SV228-6TPH7 TOSHIBA

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 		DIODE 15 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode
1SV228-6TPHR6 TOSHIBA

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 		DIODE 15 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode
1SV229 TOSHIBA

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 		VARIABLE CAPACITANCE DIODE (VCO FOR UHF BAND RADIO)
1SV229 TYSEMI

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 		Ultra low series resistance: rs = 0.2 (typ.) Useful for small size set
1SV229 KEXIN

获取价格

 		Silicon Epitaxial Planar Diode
1SV229(TPH3,F) TOSHIBA

获取价格

 		DIODE VARACTOR 15V 1-1E1A
1SV229TPHR3 TOSHIBA

获取价格

 		DIODE VHF-UHF BAND, 15 pF, 15 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance
1SV229TPHR4 TOSHIBA

获取价格

 		DIODE VHF-UHF BAND, 15 pF, 15 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance
1SV230 TYSEMI

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 		High Capacitance Ratio:C2V/C20V = 8(Typ.) Useful for small size Tuner.
1SV230 TOSHIBA

获取价格

 		VARIABLE CAPACITANCE DIODE (CATV CONVERTER 1st OSC TUNING)

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