1SS82TA

更新时间： 2024-02-20 11:56:54

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日立 - HITACHI		整流二极管开关高压
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6页	29K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35

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1SS82TA 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.68
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.1 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1SS82TA 数据手册

1SS82

Absolute Maximum Ratings*²(Ta = 25°C)

Item

Symbol

Value

250

Unit

Peak reverse voltage

Reverse voltage

V_RM

V_R

I_FM

I_FSM

I_O

200

Peak forward current

Non-Repetitive peak forward surge current

Average forward current

Power dissipation

625

200

°C

400

Junction temperature

Storage temperature

175

Tstg

–65 to +175

Notes: 1. Reverse voltage in excess of peak reverse voltage may deteriorate electrical characteristic.

2. Within 1s forward surge current.

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol Min

Typ

—

Max

1.0

0.2

100

—

Unit

Test Condition

I_F= 100mA

Forward voltage

Reverse current

V_F

I_R1

I_R2

—

µA

V_R= 200V

—

V_R= 250V

Capacitance

1.5

—

V_R= 0V, f = 1MHz

I_F= I_R= 30mA, Irr = 3mA, R_L= 100Ω

Reverse recovery time t_rr

100

123 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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