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1SS82TE

更新时间: 2024-01-27 15:24:59
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日立 - HITACHI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 77K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35

1SS82TE 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.51
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流:1 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:100 µA最大反向恢复时间:0.1 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1SS82TE 数据手册

 浏览型号1SS82TE的Datasheet PDF文件第2页 

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