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1SS84

更新时间： 2024-02-03 23:24:31

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		二极管开关
页数	文件大小	规格书
3页	21K
描述
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching

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1SS84 数据手册

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ADE-208-151A(Z)

1SS84

Silicon Epitaxial Planar Diode

for High Speed Switching

Rev. 1

Aug. 1995

Features

Outline

• Low reverse current.

• High reliability with glass seal.

2

1

3rd band

2nd band

Cathode band

Ordering Information

Type No. Cathode 2nd band 3rd band Package

Code

1. Cathode

2. Anode

1SS84

Light Blue Dark Green Dark Green DO-35

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_RM

V_R

Value

Unit

V

Peak reverse voltage

Reverse voltage

75

70

V

Peak forward current

Non-Repetitive peak forward surge current

Average forward current

Power dissipation

I_FM

450

mA

A

I_FSM

*

1

I

150

mA

mW

°C

°C

o

P

250

d

Junction temperature

Storage temperature

T

T

175

j

-65 to +175

stg

* Within 1s forward surge current.

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol Min

Typ

—

Max

Unit

Test Condition

Forward voltage

V

—

—

—

—

—

—

0.8

3

V

I = 10 mA

F

F

I

I

I

0.3

—

V

V

V

V

= 0.3 V

= 20 V

= 55 V

R1

R

R

R

R

Reverse current

10

100

5

nA

R2

—

R3

C

Capacitance

—

pF

ns

= 1 V, f = 1 MHz

Reverse recovery time

t

—

50

I =I =10mA, Irr=1mA,R =100Ω

F R L

rr

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1SS84RE	HITACHI	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35	获取价格
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