5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.22 |
| 最大击穿电压： | 81.8 V | 最小击穿电压： | 71.1 V |
| 击穿电压标称值： | 76.45 V | 最大钳位电压： | 103 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 64 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn80Pb20) | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1SMB64ABKLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1SMB64ABKPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 64V V(RWM), Unidirectional, |
|
| 1SMB64ALEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1SMB64APBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, |
|
| 1SMB64AT3 | MOTOROLA |
获取价格 |
PLASTIC SURFACE MOUNT ZENER OVERVOLTAGE TRANSIENT SUPPRESSORS |
|
| 1SMB64AT3 | ONSEMI |
获取价格 |
600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors |
|
| 1SMB64AT3G | ONSEMI |
获取价格 |
600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors |
|
| 1SMB64AT3G | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 64V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| 1SMB64ATIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, |
|
| 1SMB64CA | CENTRAL |
获取价格 |
BI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 600 WATTS, 5.0 THRU |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
