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1SMB33CATR13

更新时间: 2024-11-29 14:27:35
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CENTRAL 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 65K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

1SMB33CATR13 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.37
Is Samacsys:N最大击穿电压:42.2 V
最小击穿电压:36.7 V击穿电压标称值:39.45 V
最大钳位电压:53.3 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-C2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:600 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:33 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1SMB33CATR13 数据手册

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