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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.5 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 0.1 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向恢复时间： | 0.008 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1S2075(K)TE | HITACHI |
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暂无描述 |
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| 1S2075(K)TE | RENESAS |
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暂无描述 |
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| 1S2075(K)TX | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 1S2075(K)TX | RENESAS |
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0.1A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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| 1S2075K | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching |
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| 1S2075K | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching |
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| 1S2075K-E | RENESAS |
获取价格 |
0.1A, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| 1S2076 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Diode for Various Detector, Modulator, Demodulator |
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| 1S2076 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching |
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| 1S2076 | SUNMATE |
获取价格 |
Switching Diodes Switch detector |
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