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1S2076

更新时间： 2023-12-06 20:08:42

品牌	Logo	应用领域
森美特 - SUNMATE		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
2页	440K
描述
Switching Diodes Switch detector

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1S2076 数据手册

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1S2076

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

DO-35(GLASS)

Features

Low capacitance. (C = 3.0pF max)

!

!

1.0 2(26.0)

MIN.

Short reverse recovery time. (t_rr= 8.0ns max)

High reliability with glass seal.

!

0.079(2.0)

MAX

0.165 (4.2)

MAX

Mechanical Data

!

!

!

Case: DO-35, glass case

Polarity: Color band denotes cathode

Weight: 0.004 ounces, 0.13 grams

1.0 2(26.0)

MIN.

0.020(0.52)

TYP

Dimensions in millimeters

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Symbol

V_RM

Value

Unit

V

Peak reverse voltage

35

Reverse voltage

V_R

30

V

Peak forward current

I_FM

450

mA

A

Non-Repetitive peak forward surge current

Average forward current

Power dissipation

I_FSM

I_O

*

1

150

mA

mW

°C

Pd

Tj

250

Junction temperature

175

Storage temperature

Tstg

–65 to +175

°C

Note: Within 1s forward surge current.

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Characteristic

Symbol Min

Typ

—

Max

Unit

V

Test Condition

I_F= 10mA

Forward voltage

Reverse current

Capacitance

V_F

I_R

0.64

—

0.80

0.1

—

µA

pF

ns

V_R= 30V

C

—

—

3.0

V_R= 1V, f = 1MHz

Reverse recovery time t_rr*

—

—

8.0

I_F= I_R= 10mA, Irr = 1mA

Note: Reverse recovery time test circuit

1 of 2

www.sunmate.tw

12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1S2076A	SYNSEMI	HIGH SPEED SWITCHING DIODE	获取价格
1S2076A	KISEMICONDUCTOR	SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE	获取价格
1S2076A	LGE	High reliability with glass seal.	获取价格
1S2076A	HITACHI	Silicon Epitaxial Planar Diode for Various Detector, Modulator, Demodulator	获取价格
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