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1S2075(K)TD

更新时间： 2024-02-01 12:11:01

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		二极管开关
页数	文件大小	规格书
6页	30K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, DO-35

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1S2075(K)TD 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.008 µs
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1S2075(K)TD 数据手册

1S2075(K)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Value

Unit

Peak reverse voltage

Reverse voltage

V_RM

V_R

I_FM

I_FSM

I_O

Peak forward current

Non-Repetitive peak forward surge current

Average forward current

Power dissipation

450

°C

600

100

250

Junction temperature

Storage temperature

175

Tstg

–65 to +175

°C

Note: Within 1s forward surge current.

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol Min

Typ

—

Max

Unit

Test Condition

I_F= 10mA

Forward voltage

Reverse current

Capacitance

V_F

I_R

—

0.8

0.1

3.5

8.0

—

µA

V_R= 30V

—

V_R= 1V, f = 1MHz

Reverse recovery time t_rr*

—

I_F= I_R= 10mA, Irr = 1mA

Note: Reverse recovery time test circuit

Supply

3kΩ

0.1µF

Sampling

Oscilloscope

Ro = 50Ω Pulse

Rin = 50Ω

Generator

Trigger

123 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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1S2075(K)TDX	RENESAS	0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35	获取价格
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