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1R5NH45TPA2

更新时间: 2024-11-23 14:46:07
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东芝 - TOSHIBA 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 60K
描述
DIODE 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

1R5NH45TPA2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
应用:FAST RECOVERY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.5 V
JESD-30 代码:O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流:33 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:1.5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V最大反向电流:100 µA
最大反向恢复时间:0.2 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1R5NH45TPA2 数据手册

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