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1N985DUR-1

更新时间: 2024-11-20 14:31:55
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 365K
描述
Zener Diode, 100V V(Z), 1%, 0.4W

1N985DUR-1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.3
配置:SINGLE二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:500 ΩJESD-609代码:e0
元件数量:1最高工作温度:175 °C
峰值回流温度(摄氏度):235最大功率耗散:0.4 W
标称参考电压:100 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间:20最大电压容差:1%
工作测试电流:1.3 mABase Number Matches:1

1N985DUR-1 数据手册

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