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1N985BD7

更新时间: 2024-09-25 13:55:43
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 90K
描述
Zener Diode, 100V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional

1N985BD7 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-XALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.69Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-XALF-W2JESD-609代码:e0
膝阻抗最大值:3000 Ω元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:100 V最大反向电流:5 µA
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max:110 mV/ °C最大电压容差:5%
工作测试电流:1.3 mABase Number Matches:1

1N985BD7 数据手册

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