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1N957B

更新时间: 2024-11-22 22:34:59
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威世 - VISHAY 二极管测试
页数 文件大小 规格书
3页 37K
描述
Silicon Z-Diodes

1N957B 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-GALF-W2Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.79配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:4.5 Ω最大正向电压 (VF):1.5 V
JEDEC-95代码:DO-204AHJESD-30 代码:O-GALF-W2
JESD-609代码:e2膝阻抗最大值:700 Ω
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
标称参考电压:6.8 V最大反向电流:150 µA
反向测试电压:5.2 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL最大电压容差:5%
工作测试电流:18.5 mABase Number Matches:1

1N957B 数据手册

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1N957B...1N963B  
Vishay Telefunken  
Silicon Z–Diodes  
Features  
Very sharp reverse characteristic  
Very high stability  
Low reverse current level  
V –tolerance ± 5%  
Z
Applications  
94 9367  
Voltage stabilization  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C  
j
Parameter  
Power dissipation  
Z–current  
Junction temperature  
Storage temperature range  
Test Conditions  
75 C  
Type  
Symbol  
Value  
500  
Unit  
mW  
mA  
C
T
P
V
L
I
Z
P /V  
V
Z
T
200  
–65...+200  
j
T
stg  
C
Maximum Thermal Resistance  
T = 25 C  
j
Parameter  
Junction ambient  
Test Conditions  
l=9.5mm (3/8”), T =constant  
Symbol  
R
thJA  
Value  
300  
Unit  
K/W  
L
Electrical Characteristics  
T = 25 C  
j
Parameter  
Forward voltage  
Test Conditions  
I =200mA  
Type  
Symbol Min  
Typ Max Unit  
V
F
1.1  
V
F
Rev. A3, 13-Nov-98  
1 (3)  

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