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1N942BUR-1

更新时间: 2024-11-30 02:52:51
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美高森美 - MICROSEMI /
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6页 241K
描述
11.7 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes

1N942BUR-1 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.67
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-213AAJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:11.7 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
电压温度Coeff-Max:0.585 mV/ °C

1N942BUR-1 数据手册

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