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1N916T/R

更新时间: 2024-01-27 16:28:40
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 45K
描述
DIODE 0.075 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode

1N916T/R 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-35
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.45
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2最大非重复峰值正向电流:4 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最大输出电流:0.075 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified参考标准:CECC50001-021
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向电流:5 µA
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N916T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
1N914; 1N916  
High-speed diodes  
1996 Sep 03  
Product specification  
Supersedes data of April 1996  
File under Discrete Semiconductors, SC01  

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