1N914B

更新时间： 2024-01-11 16:04:57

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		二极管
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4页	77K
描述
High Conductance Fast Diode

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1N914B 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向电流：	0.025 µA	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1N914B 数据手册

Small Signal Diode

(continued)

Typical Characteristics (continued)

900

800

700

600

500

400

300

1.6

Ta= 25 ^o

Typical

Ta= -40 ^oC

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

Ta= 25 ^oC

Ta= +65 ^oC

0.01

0.1

0.3

0.03

100

200 300

500

800

Forward Current, I_F[mA]

Figure 5. Forward Voltage vs Forward Current

VF - 10 to 800 mA

Figure 6. Forward Voltage

vs Ambient Temperature

VF - 0.01 - 20 mA (-40 to +65 Deg C)

0.90

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

T_A= 25 ^o

Ta = 25 ^oC

0.85

0.80

0.75

Reverse Recovery Current, I_rr[mA]

IF = 10mA - IRR = 1.0 mA - Rloop = 100 Ohms

REVERSE VOLTAGE (V)

Figure 7. Total Capacitance

Figure 8. Reverse Recovery Time vs

Reverse Recovery Current

500

400

300

200

100

500

400

300

200

100

DO-35

SOT-23

100

150

100

150

200

Ambient Temperature ( ^oC)

Temperature [ ^oC]

Figure 9. Average Rectified Current (I_F(AV)

)

Figure 10. Power Derating Curve

versus Ambient Temperature (T_A)

1 234

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