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1N914B

更新时间： 2024-01-05 23:25:07

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鲁光 - LGE		小信号开关二极管
页数	文件大小	规格书
3页	210K
描述
Small Signal Switching Diodes

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1N914B 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向电流：	0.025 µA	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1N914B 数据手册

1N914/1N914A/1N914B

Small Signal Switching Diodes

Ratings AND Charactieristic Curves

FIG.4 -- RECTIFICATION EFFICIENCY

JJJJJJJJMEASUREMENT CIRCUIT

FIG.5 -- RELATIVE CAPACITANCE VERSUS

JJJJJJJJJJJJJJ

VOLTAGE

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

D.U.T.

T^J=25

f=1MHz

Ctot(V^R)

Ctot(OV)

VRF=2V

2nF

10V

V^R

FIG.6 -- LEAKAGE CURRENT VERSUS JUNCTION

TEMPERATUREFF

FIG.7 -- DYNAMIC FORWARD RESISTANCE

FFFVERSUS FORWARD CURRENT

10 ⁴

10⁴

℃

f=1KHz

T^J=25

10³

10 ³

10 ²

10²

V^R=20V

10^-2

10^-1

10²

1 0

I^F

100

200℃

http://www.luguang.cn

mail:lge@luguang.cn

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