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1N825D7

更新时间: 2024-11-29 20:43:15
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 80K
描述
Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.475W, Silicon

1N825D7 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.27
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-XALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.475 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:6.2 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL电压温度Coeff-Max:0.124 mV/ °C
最大电压容差:5%工作测试电流:7.5 mA
Base Number Matches:1

1N825D7 数据手册

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