生命周期: | Obsolete | 包装说明: | O-XALF-W2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.27 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
JESD-30 代码: | O-XALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 最大功率耗散: | 0.475 W |
认证状态: | Not Qualified | 标称参考电压: | 6.2 V |
表面贴装: | NO | 技术: | ZENER |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 电压温度Coeff-Max: | 0.124 mV/ °C |
最大电压容差: | 5% | 工作测试电流: | 7.5 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N825DIE | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, 0.5W, Silicon, DIE | |
1N825RL | MOTOROLA |
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6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE | |
1N825RL2 | MOTOROLA |
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6.2V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE | |
1N825TA | MOTOROLA |
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6.2V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE | |
1N825TA2 | MOTOROLA |
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6.2V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE | |
1N825TR | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated | |
1N825TR-1 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated | |
1N825TR-1-1 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated | |
1N825TR-1-2 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated | |
1N825TR-2 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |