生命周期: | Transferred | 包装说明: | O-XALF-W2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.68 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-35 | JESD-30 代码: | O-XALF-W2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 最大功率耗散: | 0.4 W |
标称参考电压: | 6.2 V | 表面贴装: | NO |
技术: | ZENER | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 电压温度Coeff-Max: | 0.31 mV/ °C |
最大电压容差: | 5% |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N823-1 | DIGITRON |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, 0.5W, Silicon, DO-7 | |
1N823-1 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES | |
1N823-1(DO35) | ETC |
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0TC Reference Voltage Zener | |
1N823-1-1 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated | |
1N823-1-1% | MICROSEMI |
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Zener Diode | |
1N823-1-1%E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode | |
1N823116 | NXP |
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DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, Voltage Reference Diode | |
1N823-1-2 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated | |
1N823-1-2%E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode | |
1N823-1-3%E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode |