5秒后页面跳转
1N821T/R PDF预览

1N821T/R

更新时间: 2024-11-16 13:03:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管测试
页数 文件大小 规格书
5页 33K
描述
DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Reference Diode

1N821T/R 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-34
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.13
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-34JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:100 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:6.2 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
电压温度Coeff-Max:0.62 mV/ °C最大电压容差:5%
Base Number Matches:1

1N821T/R 数据手册

 浏览型号1N821T/R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N821T/R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1N821T/R的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1N821T/R的Datasheet PDF文件第5页 
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
halfpage  
1N821 to 1N829  
1N821A to 1N829A  
Voltage reference diodes  
1996 Mar 20  
Product specification  
Supersedes data of March 1991  

与1N821T/R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N821TA MOTOROLA

获取价格

暂无描述
1N821TR MICROSEMI

获取价格

6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated
1N821TR-1 MICROSEMI

获取价格

6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated
1N821TR-1-1 MICROSEMI

获取价格

6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated
1N821TR-1-2 MICROSEMI

获取价格

6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated
1N821TR-2 MICROSEMI

获取价格

6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated
1N821UR MICROSEMI

获取价格

6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated Surface Mount Zener Reference Diodes
1N821UR-1 CDI-DIODE

获取价格

TEMPERATURE COMPENSATED ZENER DIODES
1N821UR-1 MICROSEMI

获取价格

6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated Surface Mount Zener Reference Diodes
1N821UR-1%TR MICROSEMI

获取价格

6.2V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2