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1N821T/R

更新时间: 2024-01-08 09:41:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管测试
页数 文件大小 规格书
5页 33K
描述
DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Reference Diode

1N821T/R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.62
其他特性:TEMPERATURE COMPENSATED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:6.2 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
电压温度Coeff-Max:0.62 mV/ °C工作测试电流:7.5 mA
Base Number Matches:1

1N821T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
halfpage  
1N821 to 1N829  
1N821A to 1N829A  
Voltage reference diodes  
1996 Mar 20  
Product specification  
Supersedes data of March 1991  

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6.2V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2