1N753

更新时间： 2024-02-10 03:19:41

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TRSYS		稳压二极管齐纳二极管测试
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2页	76K
描述
SILICON ZENER DIODES

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1N753 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-LELF-R2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-213AA
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	6.2 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
最大电压容差：	10%	工作测试电流：	20 mA
Base Number Matches：	1

1N753 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

SILICON ZENER DIODES

1N746 to 1N759

DO-35 400mW

Hermetically Sealed Glass Package Zener Diodes

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

DESCRIPTION

Zener Voltage

D C Power Dissipation

Derating Above 50 deg C

Operating & Storage Junction

Temperature Range

SYMBOL

VALUE

3.3 to 12

400

3.2

-65 to +175

UNIT

mW/deg C

deg C

Tj,Tstg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless otherwise Specified , VF <1.5V @ 200mA

Device Nominal*

Zener

Test

Current Impedance

IZT

(mA)

Maximum

Zener

Maximum

Reverse Current

VR Maximum

Zener

Typ

Temp

Coeff of Zener

Voltage *vz

(% deg C)

-0.066

Type#

(1)

Zener

Voltage

VZ @ IZT

(V)

@25 deg C

max

(uA)

@ +150 deg C

Current

IZM

Zzt @ IZT

max

(uA)

(Ohms)

(V)

1.0

(mA)

110

100

1N746

1N747

1N748

1N749

1N750

1N751

1N752

1N753

1N754

1N755

1N756

1N757

1N758

1N759

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

2.0

1.0

0.1

-0.058

-0.046

-0.033

-0.015

+-0.010

+0.030

+0.049

+0.053

+0.057

+0.060

+0.061

+0.062

0.1

Note(1) :- No Suffix +-10%

Suffix A +- 5%

* Pulse Condition : 20ms <tp 50ms, Duty Cycle<2%

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