5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | E-LELF-R2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.67 | Is Samacsys： | N |
| 应用： | HYPER FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.78 V |
| JESD-30 代码： | E-LELF-R2 | 最大非重复峰值正向电流： | 325 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 10 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ELLIPTICAL |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 150 V | 最大反向恢复时间： | 0.03 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N7068SMSTX | SSDI |
获取价格 |
10 AMP 50 -150 VOLTS 30 ns HYPERFAST RECOVERY RECTIFIER |
|
| 1N7068SMSTXV | SSDI |
获取价格 |
10 AMP 50 -150 VOLTS 30 ns HYPERFAST RECOVERY RECTIFIER |
|
| 1N7068TX | SSDI |
获取价格 |
10 AMP 50 -150 VOLTS 30 ns HYPERFAST RECOVERY RECTIFIER |
|
| 1N7068TXV | SSDI |
获取价格 |
10 AMP 50 -150 VOLTS 30 ns HYPERFAST RECOVERY RECTIFIER |
|
| 1N7069T1 | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SE |
|
| 1N706A | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 6V V(Z), 5.2%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N706A | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 5.8V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN |
|
| 1N706A | TI |
获取价格 |
5.8V, 0.25W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
|
| 1N706A(DO7) | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 5.8V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-7, DO-7, 2 PIN |
|
| 1N706A(DO7)E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 5.8V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-7, DO-7, 2 PIN |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
