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1N6639HRS

更新时间: 2024-10-02 20:53:43
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
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1页 89K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, DO-35,

1N6639HRS 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.45
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:0.3 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.625 W
认证状态:Not Qualified最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N6639HRS 数据手册

  

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