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1N6638USE3

更新时间: 2024-10-02 14:48:47
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 162K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 125V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5B, SQ-MELF, B PACKAGE-2

1N6638USE3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:MELF
包装说明:ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5B, SQ-MELF, B PACKAGE-2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.63
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.3 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压:125 V
最大反向恢复时间:0.0045 µs表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6638USE3 数据手册

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