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1N6513

更新时间: 2024-12-01 07:23:07
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NJSEMI /
页数 文件大小 规格书
1页 236K
描述
70NS RECOVERY, AXIAL LEADED, HERMETIC

1N6513 技术参数

生命周期:Active包装说明:E-XALF-W2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.69
应用:HIGH VOLTAGE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):3.5 V
JESD-30 代码:E-XALF-W2最大非重复峰值正向电流:100 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:2 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ELLIPTICAL
封装形式:LONG FORM最大重复峰值反向电压:2000 V
最大反向电流:1 µA最大反向恢复时间:0.07 µs
反向测试电压:2000 V表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N6513 数据手册

  

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