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1N6376

更新时间： 2024-01-29 20:46:29
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TAITRON /
页数 文件大小 规格书
5页 174K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode,

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1N6376 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：O-PALF-W2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.68其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, HIGH RELIABILITY, LOW IMPEDANCE
最小击穿电压：14.1 V外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值反向功率耗散：1500 W
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：12 V
表面贴装：NO技术：ZENER
端子面层：Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

1N6376 数据手册

 浏览型号1N6376的Datasheet PDF文件第1页浏览型号1N6376的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1N6376的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1N6376的Datasheet PDF文件第5页 
1500W Transient Voltage Suppressor  
ICTE-5 - ICTE-45C  
Electrical Characteristics (T Ambient=25ºC unless noted otherwise)  
Max.  
Max.  
Clamping  
Voltage  
Max.  
Clamping  
Voltage  
Max.  
Peak Pulse  
Current  
Reverse  
Leakage  
Current  
Reverse  
Stand-Off  
Voltage  
Breakdown  
Voltage  
@ Test Current  
JEDEC  
P/N  
General  
P/N  
@ IPP1=1A  
@ IPP2=10A  
@ V WM  
V WM (V) V BR Min. IT (mA)  
VC (V)  
VC (V)  
IPPM (A)  
IR (μA)  
1N6373  
1N6374  
1N6375  
1N6376  
1N6377  
1N6378  
1N6379  
1N6380  
1N6381  
1N6382  
1N6383  
1N6384  
1N6385  
1N6386  
1N6387  
1N6388  
1N6389  
ICTE-5  
ICTE-8  
5
6.00  
9.40  
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
300  
25  
7.1  
7.5  
160  
100  
90  
8
11.3  
13.7  
16.1  
20.1  
24.2  
29.8  
50.6  
63.3  
11.4  
14.1  
16.7  
20.8  
24.8  
30.8  
50.6  
63.3  
11.5  
14.1  
16.5  
20.6  
25.2  
32.0  
54.3  
70.0  
11.6  
14.5  
17.1  
21.4  
25.5  
32.0  
54.3  
70.0  
ICTE-10  
ICTE-12  
ICTE-15  
ICTE-18  
ICTE-22  
ICTE-36  
ICTE-45  
ICTE-8C  
ICTE-10C  
ICTE-12C  
ICTE-15C  
ICTE-18C  
ICTE-22C  
ICTE-36C  
ICTE-45C  
10  
12  
15  
18  
22  
36  
45  
8
11.70  
14.10  
17.60  
21.20  
25.90  
42.40  
52.90  
9.40  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
50  
70  
60  
50  
40  
23  
19  
100.0  
90.0  
70.0  
60.0  
50.0  
40.0  
23.0  
19.0  
10  
12  
15  
18  
22  
36  
45  
11.70  
14.10  
17.60  
21.20  
25.90  
42.40  
52.90  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
Note: 1. ICTE-5 and 1N6373 are not available in Bidirectional.  
2. Suffix “C” indicates Bidirectional device.  
Rev. A/LX  
www.taitroncomponents.com  
Page 2 of 5  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6376/100-E3 VISHAY

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 		DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su
1N6376/51-E3 VISHAY

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 		DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su
1N6376/54 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 12V V(RWM), Unidirectional,
1N6376/54-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su
1N6376/58 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLA
1N6376/58-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su
1N6376/62-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su
1N6376/72-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su
1N6376/74-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su
1N6376/92 VISHAY

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLA

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