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1N6286

更新时间: 2024-11-15 22:52:23
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管
页数 文件大小 规格书
2页 123K
描述
TRANSIENT ABSORPTION ZENER

1N6286 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.12
最大击穿电压:47.3 V最小击穿电压:38.7 V
击穿电压标称值:43 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:61.9 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.52 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:34.8 V
最大反向电流:5 µA子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6286 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6286.TR SEMTECH

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